闪存芯片，是一种能够进行数据文件等存储，我们可以在任何时候都能带在身上的一种移动储存产品，爱学习的小伙伴们，你们知道内存芯片知识分别有哪些吗?这里给大家分享一些关于最基础的内容芯片知识，希望对大家能有所帮助。
内存芯片有哪些种类
存储器分类
简称：Cache
标准：Cache Memory
中文：高速缓存
高速缓存是随机存取内存RAM的一种，其存取速度要比一般RAM来得快。当中央处理器CPU处理数据时，它会先到高速缓存中寻找，如果数据因先前已经读取而暂存其中，就不需从内存中读取数据。由于CPU的运行速度通常比主存储器快，CPU若要连续存取内存的话，必须等待数个机器周期造成浪费。所以提供“高速缓存”的目的是适应CPU的读取速度。如Intel的Pentium处理器分别在片上集成了容量不同的指令高速缓存和数据高速缓存，通称为L1高速缓存Memory。L2高速缓存则通常是一颗独立的静态随机存取内存SRAM芯片。
简称：DDR
标准：Double Date Rate
DDR系统时脉为100或133MHz，但是数据传输速率为系统时脉的两倍，即200或266MHz，系统使用3.3或3.5V的电压。因为DDR SDRAM的速度增加，因此它的传输效能比同步动态随机存取内存SDRAM好。
DDR is the acronym for Double Data Rate Synchronous DRAM SDRAM. DDR SDRAM
memory technology is an evolutionary technology derived from mature SDRAMtechnology. The secret to DDR memory's high performance is its ability toperform two data operations in one clock cycle - providing twice the throughput
of SDRAM
简称：DIMM
标准：Dual in Line Memory Module
中文：双直列内存条
DIMM是一个采用多块随机存储器RAM芯片Chip焊接在一片PCB板上模块，它实际上是一种封装技术。在PCB板的一边缘上，每面有64叫指状铜接触条，两面共有168条。DIMM可以分为3.3V和5V两种电压，这其中又有含缓冲器以及不含缓冲器两种，目前比较常见的是3.3V含缓冲器类型，而DIMM还需要一个抹除式只读存储器EPROM供基本输出入系统BIOS储存各种参数，让芯片组Chipset达到最佳状态。
简称：DRAM
标准：Dynamic Random Access Memory
一般计算机系统使用的随机存取内存RAM可分动态与静态随机存取内存SRAM两种，差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存，SRAM的数据则不需要刷新过程，在上电期间，数据不会丢失。
简称：ECC
标准：Error Checking and Correction在处理单位作错误侦测和改正所有的单一位的误差，也可以作双位或多位的误差核对与改正。
简称：EDO DRAM
标准：Extend Data Out Dynamic Random Access Memory
EDO DRAM也称为Hyper Page Mode DRAM，这是一种可以增加动态随机存取内存DRAM读取效能的存储器，为了提高EDO DRAM的读取效率，EDO DRAM可以保持资料输出直到下一周期CAS#之下降边缘，而EDO DRAM的频宽由100个兆字节MB增加到了200MB。
简称：EEPROM
标准：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory
非挥发性存储器。电源撤除后，储存的信息Data依然存在，在特殊管脚上施加电压，同时输出相应命令，就可以擦除内部数据。典型应用于如电视机、空调中，存储用户设置的参数。
这种存储器支持再线修改数据，每次写数据之前，必须保证书写单元被擦除干净，写一个数据的大约时间在2-10ms之间。支持单字节单元擦除功能。
简称：EPROM
标准：Erasable Programmable Read-Only Memory
中文：紫外擦除只读存器
非挥发性存储器。不需要电力来维持其内容，非常适合用作硬件当中的基本输出入系统BIOS。允许使用者以紫外线消除其中的程序重复使用。
简称：Flash
标准：Memory
中文：闪烁存储器
非挥发性存储器。是目前在可在线可改写的非挥发性存储器中容量最大的存储器。支持再线修改数据，写数据的速度比EEPROM提高1个数量级。
Flash应用于大容量的数据和程序存储，如电子字典库、固态硬盘、PDA上的操作系统等。
简称：FeRAM
标准：Ferroelectric random access memory
中文：铁电存储器
ferroelectric random access memory FRAM is a new generation of nonvolatilememory that combines high-performance and low-power operation with the abilityto retain data without power.FRAM has the fast read/write speed and low power of battery-backed SRAM andeliminates the need for a battery
简称：MRAM
标准：Magnetoresistive Random Access Memory
中文：磁性随机存储器
磁性随机存储器是正在开发阶段的，基于半导体1T和磁通道magnetic tunneljunction-MTJ技术的固态存储介质，属于非挥发性芯片。主要开发厂商有IBM、Infineon英飞凌、Cypress和Motorola摩托罗拉。其擦写次数高于现有的Flash存储器，可达
1015，读写时间可达70nS，
简称：RAM
标准：Random Access Memory
中文：随机存储器
随机存取内存，是内存Memory的一种，由计算机CPU控制，是计算机主要的储存区域，指令和资料暂时存在这里。RAM是可读可写的内存，它帮助中央处理器 CPU 工作，从键盘Keyboard 或鼠标之类的来源读取指令，帮助CPU把资料 Data 写到一样可读可写的辅助内存 Auxiliary Memory ，以便日后仍可取用，也能主动把资料送到输出装置，例如打印机、显示器。 RAM的大小会影响计算的速度，RAM越大，所能容纳的资料越多，CPU读取的速度越快。
简称：RDRAM
标准：Rambus DRAM
这是一种主要用于影像加速的内存 Memory ，提供了1000Mbps的传送速率，作业时不会间断，比起动态随机存取内存 DRAM 的200mbps更加快速，当然价格比要DRAM贵。虽然RDRA无法完全取代现有内存，不过因为总线 BUS 速度的需求，可以取代DRAM与静态随机存取内存 SRAM 。 SDRAM的运算速度为100赫兹 Hz ，制造商展示的RDRAM则可达600MHz，内存也只有8或9位 bit 长，若将RDRAM并排使用，可以大幅增加频宽Bandwidth ，将内存增为32或64位。
简称：ROM
标准：Read Only Memory
中文：只读存储器
只读存储器，这种内存 Memory 的内容任何情况下都不会改变，计算机与使用者只能读取保存在这里的指令，和使用储存在ROM的数据，但不能变更或存入资料。 ROM被储存在一个非挥发性芯片上，也就是说，即使在关机之后记忆的内容仍可以被保存，所以这种内存多用来储存特定功能的程序或系统程序。 ROM储存用来激活计算机的指令，开机的时候ROM提供一连串的指令给中央处理单元进行测试，在最初的测试中，检查RAM位置location以确认其储存数据的能力。此外其它电子组件包括键盘 Keyboard 、计时回路timercircuit以及CPU本身也被纳入CPU的测试中。
简称：SDRAM
标准：Synchronous Dynamic RAM
SDRAM的运作时脉和微处理器 Microprocessor 同步，所以可以比EDO 动态记忆模块EDO DRAM 的速度还快，采用3.3V电压EDO DRAM为5V，168个接脚，还可以配合中央处理器 CPU 的外频 External Clock ，而有66与100MHz不同的规格，100MHz的规格就是大家所熟知的PC100内存 Memory 。
简称：SIMM
标准：Single In-Line Memory Module
中文：单直列内存模块
内存Memory 模块的概念一直到80386时候才被应用在主机板Mother Board上，当时的接脚主要为30个，可以提供8条资料 Data 存取线 Access Line，一次资料存取
Access为32个字节，所以分为四条一组，因此80386以四条为一个单位。而今一条SIMM为72Pins，不过只能提供32字节的工作量，但是外部的数据总线Data Bus为64字节bite，因此一个主机板上必须有两条SIMM才足以执行庞大的资料Data处理工作。
简称：SRAM
标准：Static Random Access Memory
中文：静态随机存储器
SRAM制造方法与动态随机存取内存DRAM 不同，每个位使用6个晶体管transistor组成，不需要不断对晶体管周期刷新以保持数据丢失，其存取时间较短控制电路简单，但制造成本较高，单片难以做到DRAM那样容量。
简称：VCM SDRAM
标准：Virtual Channel Memory SDRAM
1999年由于SDRAM在市场上大为缺货，而由日本NEC恩益禧搭配一些主机板厂商及芯片组Chipset业者，大力推广所谓的VCM模块技术，而为消费者广为接受，日本NEC更希望一举将VCM的规格推向工业级标准。VCM内存规格是以SDRAM为基础观念所开发出的新产品，并加强原有的SDRAM功能。昔日的SDRAM须等待中央处理器CPU处理完资料或VGA卡处理完资料后，才能完整地送至SDRAM做进一步的处理，然而VCM的内部区分为16条虚拟信道VirtualChannel，每一个信道都负责一个单独的memory master，因此可以减少内存Memory接口的负担，进而增加计算机使用者使用效率。 目前为全球第四大内存模块厂商的宇瞻科技与日本NEC技术合作，在台湾推出以PC133 PC133 VCM内存模块为设计的笔记型计算机，由于VCM技术可以减少内存接口的负担，以及本身低耗电的特性，相当适合笔记型计算机的运用，品质与一般个人计算机相较之下毫不逊色。
1、性能与传统芯片，比如CPU、GPU有很大的区别。在执行AI算法时，更快、更节能。普通芯片的速度慢，性能低，无法实际商用。
2、普通芯片在上传和下载的过程中，完全有可能出现数据泄露的问题。ai芯片在手机终端就能进行计算，无需上传到云端，就避免了数据泄露的风险。
集成电路(英语：integrated circuit，缩写作 IC)，或称微电路(microcircuit)、微芯片(microchip)、晶片/芯片(chip)在电子学中是一种把电路(主要包括半导体设备，也包括被动组件等)小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上。晶体管发明并大量生产之后，各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用，取代了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步，使得集成电路成为可能。相对于手工组装电路使用个别的分立电子组件，集成电路可以把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片，是一个巨大的进步。集成电路的规模生产能力，可靠性，电路设计的模块化方法确保了快速采用标准化集成电路代替了设计使用离散晶体管。集成电路对于离散晶体管有两个主要优势：成本和性能。成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷，而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关，消耗更低能量，因为组件很小且彼此靠近。
什么是仿生芯片
芯片是将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜集成电路。另有一种厚膜集成电路是由独立半导体设备和被动组件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。晶体管发明并大量生产之后，各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用，取代真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步，使得集成电路成为可能。相对于手工组装电路使用个别的分立电子组件，集成电路可以把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片，是一个巨大的进步。
集成电路英语：integrated circuit，缩写作 IC;或称微电路(microcircuit)、微芯片(microchip)、晶片/芯片(chip)在电子学中是一种将电路(主要包括半导体设备，也包括被动组件等)小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上。将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜(thin-film)集成电路。另有一种厚膜(thick-film)集成电路(hybrid integrated circuit)是由独立半导体设备和被动组件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。
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